基本信息
| 标准名称： | 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 |
| 英文名称： | Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning |
| 中标分类： | 冶金 >> 金属化学分析方法 >> 半金属及半导体材料分析方法 |
| ICS分类： | 冶金 >> 金属材料试验 >> 金属材料试验综合 |
| 发布部门： | 中华人民共和国国家质量监督检验检疫总局 中国家标准化管理委员会 |
| 发布日期： | 2005-09-19 |
| 实施日期： | 2006-04-01 |
| 首发日期： | 2005-09-19 |
| 作废日期： | 1900-01-01 |
| 主管部门： | 信息产业部（电子） |
| 提出单位： | 中国有色金属工业协会 |
| 归口单位： | 信息产业部（电子） |
| 起草单位： | 洛阳单晶硅有限责任公司 |
| 起草人： | 史炯、蒋建国、陈兴邦、贺东江、王文、邓德翼 |
| 出版社： | 中国标准出版社 |
| 出版日期： | 2005-12-16 |
| 页数： | 16开， 页数：9， 字数：14千字 |
| 计划单号： | 20011279-T-610 |
| 书号： | 155066.1-26922 |
适用范围
本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用于无接触、非破坏性地测量干燥、洁净的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100mm及以上、厚度250μm及以上腐蚀、抛光及外延硅片。
前言
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目录
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引用标准
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所属分类： 冶金 金属化学分析方法 半金属及半导体材料分析方法 冶金 金属材料试验 金属材料试验综合